短波紅外的光子探測器材料

短波紅外（SWIR）光子探測器材料是指能夠?qū)WIR波段的光線進行敏感的材料。常見的SWIR光子探測器材料包括但不限于以下幾種：

1. 汞鍺鎘（MCT）：MCT是一種常用于SWIR探測的半導體材料，具有高靈敏度和快速響應的特點。其探測波長范圍為0.6-20微米，可用于熱成像、軍事、安防等領域。

2. ИнАS（InAs）：InAs是一種固體半導體材料，在SWIR波段的探測效率高，對熱噪聲的敏感度低，具有高靈敏度、高速度和高分辨率的特點。應用于紅外探測、通信、醫(yī)學等領域。

3. InGaAs（InGaAs）：InGaAs是一種銀河星比例探測器，其探測波長范圍為0.9-1.7微米，可用于光互換通信、高速通訊和太空探索等領域。

4. Pbs（Pbs）：Pbs是一種紅外材料，其探測波長范圍為1-2.5微米，可用于紅外探測、監(jiān)測和地質(zhì)勘探等領域。

5. HgCdTe（HgCdTe）：HgCdTe是一種重要的紅外探測材料，具有寬波段、高靈敏度、快速響應和低噪聲的特點，可用于軍事、太空探測、醫(yī)學和工業(yè)等領域。

各類探測器材料可擴展譜段的優(yōu)選產(chǎn)品

InGaAs短波紅外相機：C-RED2 ER：C-RED2 ER InGaAs短波紅外相機是一款能夠滿足高速快拍需求和高靈敏度成像需求的相機，可覆蓋0.9到1.7微米的波長范圍，快速幀速率：相機幀速率高，最快達到200幀/秒，可以進行快速實時成像，低噪聲和高靈敏度。

C-RED2 ER InGaAs短波紅外相機

T2SL 短波紅外相機：Xeva 2.35：Xeva 2.35短波紅外相機波長范圍在1μm~2.35μm，采用TE4（四級熱電制冷）制冷溫度可高達200K，適用于高速成像和高靈敏度需求的相機，可以在更遠的紅外區(qū)域進行成像和光譜分析，適用于科學研究、醫(yī)學、制造業(yè)等領域的應用。

Xeva 2.35短波紅外相機

MCT短波紅外模組：384 x 288 SWIR IDCA

帶有MCC030單活塞冷卻器的MCT 384x288 短波紅外模塊，結(jié)構(gòu)緊湊，光譜波段為0.9~2.5μm。因其采用了先進的探測器和冷卻技術(shù)，該裝置擁有高靈敏度和長壽命(壽命冷卻器>25000h) 24/7。簡單的系統(tǒng)接口實現(xiàn)了其全數(shù)字輸出，高達450Hz的高幀率全幀成像提供了優(yōu)異的性能。

讀出集成電路(ROIC)提供了特別適用于高光譜應用的特性，如窗口、行取消選擇和可逐行切換的2種增益模式。后者用于具有高動力學的應用，即強光譜線與0.9 ~2.5μm范圍內(nèi)的低光子通量光譜波段相結(jié)合。為了同時實現(xiàn)高幀率和高靈敏度，通常采用“讀時集成”模式(IWR)。ROIC也提供了“集成然后讀取”模式(ITR)。

該模塊適用于高光譜成像儀，為遙感、過程控制、材料分析和分類等各種應用提供擴展的短波紅外感知能力。

▲MCT 384x288 SWIR模塊與MCC030單活塞冷卻器

量子阱CMOS短波紅外相機：Acuros

來自SWIR VISION SYSTEMS的Acuros系列短波紅外相機，就是應用量子點技術(shù)的新產(chǎn)品。普通CMOS制程中，加入非常薄的PbS（硫化鉛）量子點薄膜層，可以使得原有像元的響應范圍大幅增加，高可達0.4~1.7μm。

▲CQD（CMOS Quantum Dot）芯片得益于其在CMOS制程中，加入了PbS量子點薄膜層。與傳統(tǒng)CMOS+濾光片不同，這層薄膜就像是改變了基底材料，從而將光譜響應范圍擴展。這點是傳統(tǒng)CMOS+濾光片無法做到的。

Acuros支持USB3.0/GigE通用數(shù)字接口，鏡頭尺寸C-Mount/F-Mount可選。支持TEC制冷，使用全局快門。相機綜合量子效率大于等于15%，高性價比的價格優(yōu)勢使得其非常適合有無判斷、物質(zhì)判斷的工業(yè)檢測，以及安防監(jiān)控領域。

▲量子阱CMOS短波紅外相機：Acuros 系列 

▲使用Acuros相機拍攝的血液液面高度判斷，水果無損探傷，以及水面穿云透霧效果實拍。

除了上述應用，上述擴展譜段的短波紅外相機還可應用在：激光光斑、光譜、民用對地遙感（農(nóng)林氣象等）、農(nóng)業(yè)硅的檢測等方向。